اهلا وسهلا بك فى بوابة الثانوية العامة ... سجل الان

العودة   بوابة الثانوية العامة المصرية > الصف الثالث الثانوي 2024 / 2025 > شعبـة العلـوم و الرياضيـات > الفيزياء 3 ث > المراجعات فيزياء 3 ث

 
 
أدوات الموضوع انواع عرض الموضوع
Prev المشاركة السابقة   المشاركة التالية Next
  #6  
قديم 27-04-2008, 04:01 PM
الصورة الرمزية احمد الحاج2000
احمد الحاج2000 احمد الحاج2000 غير متواجد حالياً
عضو جديد
 
تاريخ التسجيل: Nov 2007
العمر: 34
المشاركات: 26
معدل تقييم المستوى: 0
احمد الحاج2000 is on a distinguished road
افتراضي

الفصل 15 ( الإلكترونيات الحديثة ) (تذكر أن )


1 طاقة الربط هى الفرق بين طاقة الإلكترون المقيد وطاقة التأين

2- طاقة التأين هى مقدار الطاقة الخارجية اللآزمة لتحرير الإلكترون وإنطلاقه بعيدا عن النواة

3- أشباه الموصلات : ه بلورات عناصر المجموعة الرابعة من الجدول الدورى مثل الجرمانيوم والسليكون وهى ليست جيدة التوصيل وليست رديئة التوصيل فى درجات الحرارة العادية – وتزداد توصليتها بإرتفاع درجة الحرارة

4- أشباه الموصلات تكون رديئة التوصيل فى درجات الحرارة المنخفضة القريبة من الصفر المطلق حيث تكون جميع الروابط بين الذرات فى البللورة مكتملة ولاتوجد إلكترونات حرة

5- عند رفع درجة حرارة بللورة تنكسر بعض الروابط فتنطلق منها إلكترونات وتصبح إلكترونات حرة وكل إلكترون منطلق من رابطة يترك وراءه فجوة

6- الفجوة : عبارة عن رابطة مكسورة غير مكسورة غير مكتملة وتمثل شحنة موجبة


7- الإتزان الديناميكى ( الحرارى ) : عدد الروابط المكسورة فى الثانية يساوى عدد الروابط المتكونة فى الثانية


8- البللورة من النوع n : هى بلورة سليكون أو جرمانيوم مطعمة بشوائب من عنصر خماسى( مثل الفوسفور – الأنتيمون – الزرنيخ ) ويكون تركيز الإلكترونات الحرة بها أكبر من تركيز الفجوات الموجبة
n = P + N D

9- البلورة من النوع p : هى بلورة سليكون أو جرمانيوم مطعمة بعنصر ثلاثى التكافؤ( مثل البورون – الجاليوم – الألمنيوم – الأنديوم ) ويكون تركيز الفجوات الموجبة بها أكبر من تركيز الإلكترونات الحرة
P = NA + n

10- تختلف الموصلات عن أشباه الموصلات فى :

1- الموصلات تحتوى على حامل واحد للتيار هو الإلكترونات أما أشباه الموصلات فتحتوى على حاملين للتيار هما الإلكترونات الحرة والفجةات
2- فى أشباه الموصلات يزيد عدد الإلكترونات الحرة وعدد الفجوات بإرتفاع درجة الحرارة أما الموصلات فعدد الإلكترونات الحرة ثابت لايتغير بتغير درجة الحرارة

11- قانون فعل الكتلة : حاصل ضرب تركيز الإلكترونات الحرة فى × تركيز الفجوات الموجبة = مربع تركيز أى منهما
n P = n i2

12- فى مسائل حساب التركيز : إذا أضيف عنصر خماسى بتركيز معين نحسب أولا تركيز الفجوات P = ni2 / n ثم نحسب تركيز الألكترونات

13- المكونات ( النبائط ) : هى وحدات بناء الأنظمة الإلكترونية ومنها :
مكونات بسيطة مثل المقاومة وملف الحث والمكثف – مكونات معقدة مثل الوصلة الثنائية والترانزستور – مكونات متخصصة مثل الوحدات الكهروضوئية أو وحدات التحكم فى شدة التيار –

14- وتتميز أشباه الموصلات التى تصنع منها النبائط بحساستها للوسط المحيط مثل الضوء والحرارة والضغط والتلوث الذرى ولهذا تستخدم كمحسات

15- الوصلة الثنائية : هى عبارة عن بلورة n ملتصقة مع بلورة p

16- عند إلتصاق بلورة n مع بلور p يحدث الأتى :
1- تنتشر الفجوات من p إلى n وتنتشر الإلكترونات من n إلى p وينشأ مايسمى بتيار الإنتشار
2- تكتسب البلورة p جهد سالب وتكتسب البلورة n جهد موجب ويترتب على ذلك تولد منطقة خالية من الفجوات والإلكترونات تسمى المنطقة القاحلة ( الفاصلة ) ويتولد مجال كهربى يعمل على تكون مايسمى تيار الإنسياب فى عكس تيار الإنتشار – وعند حدوث الإتزان بين التيارين يتولد فرق جهد بين البلورتين يسمى الجهد الحاجز

17- الجهد الحاجز : هو أقصى فرق جهد على جانبى الوصلة الثنائية يكفى لمنع عبور المزيد من الإلكترونات من البلورة n إلى البلورة p

18- التوصيل الأمامى : توصل البلورة p بالقطب الموجب والبلورة n بالقطب السالب – يكون المجال الناشئ عن البطارية عكس إتجاه المجال الداخلى فى المنطقة الفاصلة فيضعفه ويمر تيار كبير فى الوصلة

19- التوصيل العكسى : توصل البلورة p بالقطب السالب والبلورة n بالقطب الموجب – يكون المجال الناشئ عن البطارية فى نفس إتجاه المجال الداخلى فيقويه أى يزداد الجهد العائق فلا تسمح بمرور تيار

20- تستخدم الوصلة الثنائية فى تقويم التيار المتردد تقويم نصف موجى

21- عند توصيل الوصلة الثنائية توصيلا أماميا ( مفتاح مغلق ) – وعند توصيلها خلفيا ( مفتاح مفتوح )

22- يمكن التأكد من سلامة الوصلة الثنائية عن طريق قياسها كمقاومة بواسطة الأوميتر حيث تعطى مقاومة صغيرة جدا فى الإتجاه الأمامى وعند تبديل طرفيها تعطى مقاومة كبيرة فى الإتجاه العكسى

23- الترانزستور : وصلة ثلاثية تتكون من باعث – قاعدة مجمع ( n- p –n ) أو ) p – n – p ) – وتوصل دائرة الباعث القاعدة توصيلا أماميا وتوصل دائرة المجمع القاعدة توصيلا خلفيا

24- يستخدم الترانزستور فى التكبير : ( إستنتاج βe = αe / 1- αe )

25- عمل الترانزستور كمفتاح ( كمفتاح On يكون جهد القاعدة موجب ) ( كمفتاح Off يكون جهد القاعدة سالب ) أنظر الرسم

26- يمكن إستخدام الترانزستور فى البوابات المنطقية :

- بوابة توافق : وفيها نستخدم ترانزستور له أكثر من باعث وعندما يكون جهد كل باعث موجب يعمل على توصيل تيار

- بوابة إختيار : وذلك عندما نستخدم زوج من الترانزشتور على التوازى فإذا توفر على باعث أحدهما جهد موجب يكفى ذلك لتوصيل تيار

27- يمكن إستخدام الترانزستور فى صنع دوائر الذاكرة ( الذاكرة المؤقتة – تخزين البيانات على القرص الصلب – قارئة الليزر – الكاميرات الرقمية

28- مقارنة بين الإلكترونات الرقمية والإلكترونات التناظرية





29- البوابات المنطقية : هى عناصر رقمية من دوائر إلكترونية يمكنها القيام بعمليات منطقية مثل العكس والتوافق والإختيار وهى مبنية على الجبر الثنائى

30- مقارنة بين البوابات المنطقية :





31- من أهم التطبيقات على الإلكترونيات الرقمية : التليفون المحمول – القنوات الرقمية – أقراص الليزر – الكمبيوتر
32- الدوائر الإلكترونية : هى دوائر كهربية منفصلة – أو متكاملة تتميز بصغر الحجم وقلة الوزن وزيادة السرعة وقلة التكلفة

33- إذا أحتوت شريحة على 100 ترانزستور سمى تكامل صغير و 1000ترانزستور سمى تكامل متوسط 000

34- قانون مور : السعة والسرعة للكمبيوتر يتضاعفان كل ثمانية عشر شهرا
شكرا
رد مع اقتباس
 

العلامات المرجعية


ضوابط المشاركة
لا تستطيع إضافة مواضيع جديدة
لا تستطيع الرد على المواضيع
لا يمكنك اضافة مرفقات
لا يمكنك تعديل مشاركاتك

BB code متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع


جميع الأوقات بتوقيت GMT +2. الساعة الآن 04:39 AM.